| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPA60R199CP |
TO-220-3 整包 | Infineon Technologies | 688 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IPA60R199CP参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：650V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：199 毫欧 @ 9.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1520pF @ 100V 功率 - 最大值：34W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面ERJ-1GNF4423C 蜂鸣器AT-4230-TF-LW135-R 固定式1538M16 固定式2300LL-681-H-RC 嵌入式 - 微控制MC9S12B128MFUE 钽电容器TPSV337M010R0100 接口 - 模拟开关MAX4051CEE 薄膜04023J2R0ABSTR PMIC - 稳压UC2843BDG DC DC ConVE-BWX-MW-S |
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